泰克Keithley 4200A-SCS 參數分析儀
親眼見(jiàn)證創(chuàng )新! 4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成 的參數分析儀,可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V) 和超快速脈沖式I-V 特性。作為性能最高的參數分析儀, 4200A-SCS 加快了半導體、材料和工藝開(kāi)發(fā)速度。
4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的軟件提供了清楚的、不折不 扣的測量和分析功能。憑借嵌入式測量專(zhuān)業(yè)知識和數百項隨時(shí) 可以投入使用的應用測試,Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究過(guò)程,快速而又滿(mǎn)懷信心。
4200A-SCS 參數分析儀可以根據不同用戶(hù)需求進(jìn)行靈活配 置,不管是現在還是未來(lái),都可以隨時(shí)對系統進(jìn)行升級。通過(guò) 4200A-SCS 參數分析儀,通往發(fā)現之路現在變得異常簡(jiǎn)便。
主要性能指標
I-V 源測量單元(SMU)
C-V 多頻率電容單元(CVU)
AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)
1 kHz - 10 MHz 頻率范圍
± 30 V (60 V差分)內置DC偏置源,可以擴展到± 210 V(420 V 差分)
選配 CVIV 多通道開(kāi)關(guān),在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡(jiǎn)便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測量單元(PMU)
兩個(gè)獨立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道
200 MSa/s,5 ns 采樣率
±40 V (80 V p-p),±800 mA
瞬態(tài)波形捕獲模式
任意波形發(fā)生器 Segment ARB? 模式,支持多電平脈沖波形,10 ns 可編程分辨率
高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)
兩個(gè)高速脈沖電壓源通道
±40 V (80 V p-p),± 800 mA
任意波形發(fā)生器 Segment ARB?模式,支持多電平脈沖波形,10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開(kāi)關(guān)模塊 (CVIV)
在 I-V測量和 C-V 測量之間簡(jiǎn)便切換,無(wú)需重新布線(xiàn)或抬起探針
把 C-V測量移動(dòng)到任意端子,無(wú)需重新布線(xiàn)或抬起探針遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊(RPM)
在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動(dòng)切換
把 4225-PMU的電流靈敏度擴展到數十皮安
降低電纜電容效應
為材料、半導體器件和工藝開(kāi)發(fā)提供最優(yōu)秀的參數分析儀
使用強大的Clarius 軟件,可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試,結果清晰明了

4200A-SCS 儀器和模塊
型號 | 說(shuō)明 | 主要測量 | 范圍 | 測量分辨率 |
? 4200-SMU | ? 中等功率源測量單元 | ? DC I-V 超低頻率 C-V 準靜態(tài) C-V | ? ±100 mA, ±210 V | ? 0.2 mV, 100 fA |
4210-SMU | 高功率源測量單元 | ±1 A, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA |
4200-PA | 遠程前端放大器模塊 | 擴展所有 SMU 的電流范圍 | 0.2 mV, 10 aA |
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| 1 kHz - 10 MHz |
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4210-CVU | 電容電壓?jiǎn)卧?/td> | AC 阻抗 C-V, C-f, C-t | ±30 V 內置DC 偏置裝置(60 V 差分) 使用 SMU 擴展直流偏置電壓至 | - |
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| ±210V |
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4200A-CVIV | I-V/C-V 多通道 開(kāi)關(guān)模塊 | DC I-V 和 C-V 自動(dòng)切換 | - | - |
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| 脈沖式 I-V SegmentARBR? 多電平脈沖 瞬態(tài)波形捕獲 | ±40 V (80 V?p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同時(shí)測量電流和電壓 |
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4225-PMU | 超快速脈沖測量單元 | 2048 個(gè)唯一段 | 75 nA |
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| 20 ns 脈寬僅輸出時(shí) |
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| 60 ns 脈寬輸出同時(shí)測流時(shí) |
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4225-RPM | 遠程前段放大器 / 開(kāi)關(guān)模塊 | DC I-V、C-V、脈沖式 I-V 間自動(dòng)切換 | 擴展 4225-PMU 單元的電流范圍 | 200 pA |
4220-PGU | 高壓脈沖發(fā)生器單元 | 脈沖式電壓源 Segment ARB??多電平脈沖 | ±40 V (80 Vp-p) 2048 個(gè)唯一段 | - |
接地單元 | 內置低噪聲接地單元 | - | 三同軸連接 : 2.6 A 接線(xiàn)柱 : 9.5 A | - |
提取或測量參數列表實(shí)例
? CMOS 晶體管 | Id-Vg, Id-Vd, Ig-Vg, Vth, Vtlin, Sub-Vt, Rds-on, breakdown, capacitance, QSCV, Low-frequency CV, self-heating reduction and more |
BJT | Ic-Vc, Vcsat, Gummel plot, capacitance, βF, αF |
非易失性存儲器 | Vth, endurance test, capacitance |
納米尺寸器件 | Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc |
分立元器件 | Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Vfdiode, Vrdiode, capacitance |
材料 | Van der Pauw, 4-point collinear resistivity, Hall Effect |
光伏器件 | Iforward, Ireverse, HiR, LoR |
功率器件 | Pulsed Id-Vg, pulsed Id-Vd, breakdown |
可靠性 | NBTI/PBTI, charge pumping, hot carrier injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB |
1. Clarius Software
全新Clarius Software 用戶(hù)界面,您可以把對科研的理解提 升到全新水平。4200A-SCS 包括Clarius+ 軟件包,可以執 行幾乎任何類(lèi)型的I-V、C-V 和脈沖式I-V 特性分析測試。 Clarius Software 用戶(hù)界面提供了觸滑或點(diǎn)擊控制功能,為現 代半導體、材料和工藝特性分析提供高級測試定義、參數分析、 圖表繪制和自動(dòng)化功能。
主要特點(diǎn)
專(zhuān)家視頻,降低特性分析復雜度
觀(guān)看吉時(shí)利全球應用工程師制作的內置視頻,迅速掌握應用, 縮短學(xué)習周期。數小時(shí)的專(zhuān)家測量專(zhuān)業(yè)幫助,在發(fā)生意想不 到的結果或對怎樣設置測試存在疑問(wèn)時(shí),將為您提供指引。 Clarius Software 短專(zhuān)家視頻支持四種語(yǔ)言(英語(yǔ)、中文、日 語(yǔ)和韓語(yǔ)),可以迅速讓你洞察先機。
大量隨時(shí)可以使用的應用測試可供選擇
通過(guò)Clarius 庫中裝備的450 多項應用測試,您可以選擇或 修改預先定義的應用測試,加快特性分析速度,或從一開(kāi)始 簡(jiǎn)便地創(chuàng )建自定義測試。只需三步,Clarius Software 就可以 引導新用戶(hù)像專(zhuān)家一樣完成參數分析。
實(shí)時(shí)結果和參數
自動(dòng)數據顯示、算法分析和實(shí)時(shí)參數提取功能,加快獲得所 需信息的速度。您不必擔心數據丟失,因為所有歷史數據都 會(huì )保存下來(lái)。
無(wú)需示波器檢驗脈沖測量
脈沖定時(shí)預覽模式可以簡(jiǎn)便地查看脈沖定時(shí)參數,確認脈沖 式I-V 測試按希望的方式執行。使用瞬態(tài)I-V 或波形捕獲模式, 進(jìn)行基于時(shí)間的電流或電壓測量,而無(wú)需使用外部示波器。
典型應用
MOSFET, BJT 晶體管
材料特性分析
非易失性存儲設備
電阻率系數和霍爾效應測量
NBTI/PBTI
III-V 族器件
失效分析
納米器件
二極管和pn 聯(lián)結
太陽(yáng)能電池
傳感器
MEMS 器件
電化學(xué)
LED 和OLED
第1 步 - 構建測試方案
在Clarius 庫的450 多種預先定義的應用測試和項目中搜索、過(guò)濾 及選擇所需測試項。

過(guò)濾測試、器件或項目庫,快速進(jìn)行選擇

了解每項測試,獲得更詳細的信息,包括:● 全面的測試描述; ● 測試示意圖; ● 所需設備。
第2 步 - 配置測試
使用Key Parameters View 或All Parameters View,迅速修改測 試參數。

第3 步 - 分析結果
查看圖形結果或數據結果,過(guò)濾測試數據,標記數據,簡(jiǎn)便地進(jìn)行標識。

2. 源測量單元(SMU)
精密直流電流VS. 電壓(I-V) 測量是分析器件和材料特性的 基石。4200A-SCS 參數分析儀的核心采用世界一流的源測 量單元(SMU) 儀器。源測量單元可以提供電壓或電流,可以 以非常高的分辨率和精度同時(shí)測量電壓和電流。SMU 把電 壓源、電流源、電流表和電壓表集成到一張儀器卡上,實(shí)現 I-V 同步測量。
源測量單元擁有四象限功能,因此不僅可以提供電流,還可 以吸收電流,比如測試充電電容器或太陽(yáng)能電池時(shí)。

I-V 掃描測量。
4200A-SCS 參數分析儀可以配置最多9 個(gè)SMU。有兩種 SMU 型號:中等功率SMU,范圍高達210 V/100 mA;高功 率SMU,范圍高達210 V/1 A。每個(gè)4200-SMU 中等功率 SMU 或4210-SMU 高功率SMU 占用主機的一個(gè)插槽,在 4200A-SCS 系統中可以一起使用。
所有4200A-SCS SMUs 都有屏蔽三同軸連接,為低電流和 高阻抗測量及4 線(xiàn)(Kelvin) force 和sense 連接提供保護防漏 電功能。
停止、掃描和脈沖測量
內置4200A-SCS SMU 特性提供了各種測量功能,如掃描測 量操作、線(xiàn)性和對數步進(jìn)掃描、列表掃描、單點(diǎn)平均等。
把測量分辨率擴展到10 aA
許多關(guān)鍵應用需要能夠測量超低電流,如確定FET 的柵極泄 漏電流,測試靈敏的納米器件,測量絕緣裝置和電容器的泄 漏電流。
當SMUs 配置選配的4200-PA 遠程前端放大器時(shí),它們能 夠進(jìn)行超低電流測量??蓴U展任意SMU 型號的電流范圍, 分辨率低至10 aA。對用戶(hù),SMU 只是表現為提供了額外的 測量分辨率。

選配4200-PA 前端放大器模塊,fA 級測量。
前端放大器預裝在4200A-SCS 主機背面。這種安裝方式可 以使用標準線(xiàn)纜連接探針、測試夾具或開(kāi)關(guān)矩陣??梢詮暮?面板中去掉前端放大器,放在較遠的位置( 如不透光的夾具 盒或探針臺內),消除由于長(cháng)電纜導致的測量問(wèn)題。另外還提 供了上機架附件和三同軸安裝附件。
超低頻率C-V 技術(shù)及SMUs
4200A-SCS 提供了獨一無(wú)二的功能,可以執行超低頻率電 容電壓測量,而不需LCR 儀表或電容模塊。低頻率C-V 測 量用來(lái)分析某些材料中的緩慢捕獲和脫阱現象。

使用SMU 和前端放大器進(jìn)行超低頻率C-V 測量。
4200A-SCS 采用新的窄帶技術(shù),利用集成的SMU 儀器的低 電流測量功能,在10 mHz ~ 10 Hz 范圍內的指定低頻率上 執行C-V 測量。這種方法采用4200A-SCS 的SMU 及前端 放大器,而不要求額外的硬件或軟件。
本地開(kāi)關(guān)選項
為了適應I-V 測量和其他測量類(lèi)型之間切換,4200A-SCS 提供了多個(gè)選項,可以在不同測量類(lèi)型之間簡(jiǎn)便切換:
4200A-CVIV多通道開(kāi)關(guān)模塊 - 最多四個(gè)通道,在I-V測 量和C-V 測量之間簡(jiǎn)便切換。此外,可以在被測器件不 同端口間自動(dòng)切換C-V 測量,而不需要抬起探針或改變 測試設置。
4225-RPM 遠程前端放大器 / 開(kāi)關(guān)模塊作為多路復用器開(kāi) 關(guān),在精密DC SMUs、C-V 和超快速脈沖式I-V 儀器之 間自動(dòng)切換。此外,RPM 擴展了4225-PMU 超快速脈沖 式I-V 儀器模塊的低電流測量功能。
3. 電容- 電壓?jiǎn)卧?CVU)
電容- 電壓(C-V) 測量通常用來(lái)分析MOSFET 的柵極氧化 層厚度、氧化層缺陷密度、摻雜分布等。在這一測量中,在 柵極電壓變化時(shí),柵極到漏極和源極的電容會(huì )變化。電容測 量一般采用AC 技術(shù)完成。通過(guò)在被測器件(DUT) 中提供AC 電壓,然后測量得到的AC 電流和相位角,最終多頻率C-V 儀器模塊可以得到AC 阻抗。
1 kHz - 10 MHz AC 測量
4210-CVU 儀器模塊在1 kHz ~ 10 MHz 測試頻率上執行幾 fF 到幾μF 的多頻率電容測量,同時(shí)提供高達±30 V 或60 V 差分的DC 偏置電壓。

電容- 電壓掃描。
由于多達 4096 個(gè)測量點(diǎn),CVU 儀器可以用來(lái)測量電容相對
于電壓關(guān)系 (C-V)、電容相對于頻率關(guān)系 (C-f) 和電容相對于時(shí)間關(guān)系 (C-t),提取許多重要參數,如:
摻雜曲線(xiàn)
氧化層厚度
載流子壽命測試
結電容、引腳到引腳和互連電容測量
另外還提供了 4200-CVU PWR 選項,支持:
確保結果的有效性>
與市場(chǎng)上其他C-V 模塊不同,4210-CVU 設計了獨特的已獲專(zhuān)利的電路,支持各種特性和診斷工具,確保結果的有效性。

只需點(diǎn)擊一下鼠標,就可以把AC 和DC 源切換到噪聲最低的端子。
把 DC 偏置移到選擇的端子上。在 Clarius Software中,您 只需點(diǎn)擊一下鼠標,就可以將DC 偏置源輸出至高端或低端, 確保正確的控制所施加電場(chǎng)。
實(shí)時(shí)C-V儀表。實(shí)時(shí)C-V儀表顯示快速準確的電容測量, 而不需運行預先編程的測試??梢栽陂_(kāi)路補償和短路補償 執行前確保電路確實(shí)為開(kāi)路或短路狀態(tài)。此外,您可以使 用實(shí)時(shí)C-V 儀表調試測試設置和被測器件。

實(shí)時(shí)電容測量。
本地開(kāi)關(guān)選項
由于很難在C-V 和其他測量類(lèi)型之間切換,4200A-SCS 提 供了多個(gè)可以在不同測量類(lèi)型之間簡(jiǎn)便切換的選項:
4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)模塊 - 最多 4 個(gè)通道,在 I-V 測 量和C-V 測量之間輕松切換。此外,可以在DUT 不同端 口間自動(dòng)切換C-V 測量,而不需抬升探針或改變測試設置。
4225-RPM 遠程前端放大器 / 開(kāi)關(guān)模塊 - 這作為多路復用 器開(kāi)關(guān),在精密DC SMU、C-V 和超快速脈沖式I-V 儀器 之間自動(dòng)切換。此外,RPM 擴展了4225-PMU 超快速脈 沖式I-V 儀器模塊的低電流測量功能。
4. 超快速脈沖測量單元(PMU)
超快速I(mǎi)-V 源和測量已經(jīng)成為許多技術(shù)日益重要的功能,包 括復合半導體、中等功率器件、非易失性存儲器、MEMS 器 件等等。
4225-PMU 模塊可以在生成超快脈沖電壓波形的同時(shí)測試脈 沖信號,最終將其無(wú)縫集成到4200A-SCS 測試環(huán)境中,提 供了前所未有的I-V 測試性能,大大擴展了系統的材料、器 件和工藝特性分析能力。它代替了傳統的脈沖/ 測量硬件配置, 傳統配置一般包括一個(gè)外部脈沖發(fā)生器、一臺多通道示波器、 專(zhuān)門(mén)設計的互連硬件及集成軟件。

使用超快速脈沖式I-V 最大限度地減少自熱效應。

4225-PMU 操作模式
每個(gè)模塊有兩個(gè)獨立通道。每個(gè)通道使用并行14 位模數轉換 器及深存儲器,可以同步測量電壓和電流,支持高達1M 采 樣點(diǎn)、每個(gè)樣點(diǎn)5 ns (200 MSa/sec)。
三種操作模式,全面分析特性
4225-PMU 可以用來(lái)執行三種超快速I(mǎi)-V 測試:脈沖式 I-V、瞬態(tài)I-V 和脈沖源。
脈沖式I-V
指輸出脈沖式源的同時(shí),在脈沖高電平區間進(jìn)行 高速測試,提供類(lèi)似DC 測試的測量結果。使用脈沖式I-V 信號分析器件特性,而不是使用DC 信號,可以研究或降低 自熱( 焦耳加熱) 效應,或最大限度地減少由于捕獲的電荷 變化而導致的電流漂移或退化。
瞬態(tài)I-V
或波形捕獲是一種基于時(shí)間的電流和/ 或電壓測量, 一般捕獲脈沖式波形。瞬態(tài)測試一般是單個(gè)脈沖波形,用來(lái) 研究時(shí)變參數,如由于電荷捕獲或自熱導致的漏極電流隨時(shí) 間的變化過(guò)程??梢赃M(jìn)行瞬態(tài)I-V 測量,測試動(dòng)態(tài)測試電路; 也可以用來(lái)作為診斷工具,在脈沖式I-V 模式下選擇相應的 脈沖設置。
脈沖源
涉及使用內置Segment ARB? 功能輸出用戶(hù)自定義 的2 電平或多電平脈沖,或輸出任意波形。在使用儀器的 Segment ARB 模式時(shí),各個(gè)電壓段最短可以達到20 ns,每 個(gè)通道最多2048 個(gè)波形段,為構建波形、分析閃存設備和 其他非易失性存儲技術(shù)提供了必要的靈活性。
5. 開(kāi)關(guān)解決方案
將吉時(shí)利高速度、高完整性開(kāi)關(guān)解決方案與測試測量結合在 一起。
4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)
把各種測量集成到器件特性分析中最困難的問(wèn)題之一,是每 種測量類(lèi)型基本上都要求不同的線(xiàn)纜。

4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)
選擇與測量類(lèi)型配套的線(xiàn)纜增強了測量完整性。但是,改變 每種測量類(lèi)型的電纜耗時(shí)很長(cháng),許多用戶(hù)只能接受次優(yōu)結果。

4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)連接示意圖。
此外,在重新連接電纜時(shí),用戶(hù)會(huì )面臨電纜重連不正確的風(fēng)險,
進(jìn)而導致錯誤,需要額外的調試時(shí)間。更糟糕的是,這些錯誤在很長(cháng)時(shí)間內都可能注意不到。
另一種方式是使用能夠切換 I-V 和 C-V 信號的遠程開(kāi)關(guān),如吉時(shí)利 4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)。
新型 4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)在 I-V 測量和 C-V 測量之間自動(dòng)切換。此外,C-V 測量可以移動(dòng)到任何輸出通道上,而不需重新布線(xiàn)。這種 4 通道開(kāi)關(guān)允許用戶(hù)在 I-V 和 C-V 測試期間保持相同的阻抗,可以把探針保留在晶圓測試站上。另外,用戶(hù)不需要改變測試設置和電纜連接,從而增強測量的準確性。
內置顯示器在近器件端提供了清晰的測試信息。
4225-RPM 遠程預放/ 開(kāi)關(guān)模塊
對某些器件,要求進(jìn)行多種類(lèi)型的電測量,如脈沖式I-V、 DC I-V 和C-V 測試。這通常要求外部開(kāi)關(guān)矩陣,能夠把各 類(lèi)信號切換到被測器件。選配的4225-RPM 遠程前端放大器 / 開(kāi)關(guān)模塊可以在DC I-V、C-V 和脈沖式I-V 測量之間自動(dòng) 切換,大大簡(jiǎn)化與器件的連接。

4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊。
用戶(hù)可以在器件上執行所有電測量,而不必在每次測試時(shí) 斷開(kāi)和重連線(xiàn)纜,從而節省寶貴的測試時(shí)間,減少麻煩。

在使用4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊的連接圖
4225-RPM 還作為前端放大器使用,擴大了PMU 上較低的 電流范圍。這對某些器件特別重要,如二極管,這類(lèi)器件比 普通器件電流要低幾個(gè)數量級。下面顯示了通過(guò)4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)進(jìn)行的二極管脈沖式I-V 測量。其獨 特的自動(dòng)量程功能可以在進(jìn)行脈沖式I-V 掃描期間自動(dòng)選擇 量程,用戶(hù)不需要選擇固定的量程,因此不會(huì )降低測量分辨率。

4225-RPM 為脈沖應用提供了更低的電流范圍。
選配的多種測量性能電纜套件(4210-MMPC) 把4200A-SCS 參數分析儀連接到探針臂上。除不需要重新布線(xiàn)外,這個(gè)套 件還消除了由于連線(xiàn)錯誤或選用錯誤的電纜導致的測量錯誤, 有助于最大限度地提高信號保真度。
開(kāi)關(guān)矩陣
4200A-SCS 有多種可選的開(kāi)關(guān)矩陣配置。
6 插槽707B 和單插槽708B 半導體開(kāi)關(guān)矩陣主機大大縮短了 指令的響應時(shí)間,其測試序列和整體系統吞吐量明顯要快于 之前的主機設計。

708B 和707B 開(kāi)關(guān)矩陣主機。
它們是專(zhuān)為半導體實(shí)驗室和生產(chǎn)測試環(huán)境設計的,采用標準 三同軸連接器和電纜,提供了超低電流開(kāi)關(guān)性能。
6. NBTI/PBTI 套件
在開(kāi)發(fā)大規模的硅CMOS 晶體管時(shí),建立正/ 負偏壓溫度不 穩定性(NBTI/PBTI) 模型是一個(gè)挑戰。隨著(zhù)時(shí)間推移,NBTI 效應導致晶體管的閾值電壓(VT) 發(fā)生漂移,亞閾值漏極電流 明顯提高,嚴重影響晶體管的使用壽命和電路性能。

超快速BTI 套件支持單點(diǎn)測試、平滑掃描、三角形和步進(jìn)掃描測量類(lèi)型。
在器件開(kāi)發(fā)期間,必須精確地建立這些效應模型,在工藝集 成和生產(chǎn)過(guò)程中必須監測這些效應。在BTI 特性分析期間, 晶體管會(huì )每隔一段時(shí)間施加壓力并測試。但是,BTI 機制容 易發(fā)生松馳效應,也就說(shuō)是在去掉壓力的時(shí)點(diǎn)上,晶體管開(kāi) 始恢復,退化會(huì )衰減。在松馳前分析退化效應需要使用超快 速I(mǎi)-V 技術(shù)。
4200-BTI-A 超快速BTI 套件是業(yè)內最先進(jìn)的NBTI/PBTI 測 試平臺,提供了所需的一切,可以在尖端硅CMOS 技術(shù)上進(jìn) 行完善的NBTI 和PBTI 測量,包括一個(gè)4225-PMU 超快速 I-V 模塊、兩個(gè)4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)、自動(dòng)化 特性分析套件(ACS) 軟件、超快速BTI 測試項目模塊和線(xiàn)纜。 測試軟件模塊可以簡(jiǎn)便地定義壓力定時(shí)、壓力條件和各種測 量序列,包括單點(diǎn)Id 測試、On-The-Fly(OTF) 或ID-VG 掃描。 它可以測量恢復效應及退化效應,提供壓力前和壓力后測量 選項,其中包括4200A-SCS 的DC SMUs,執行精確的小信 號測量。
超快速BTI 測試軟件模塊支持單點(diǎn)測試、步進(jìn)掃描、平滑掃 描和采樣測量等類(lèi)型。每種類(lèi)型的定時(shí)由測試采樣率和各個(gè) 測量設置確定。軟件模塊還可以控制測試序列中每個(gè)單元之 間的電壓條件,即使在定義復雜的測試序列時(shí),也能實(shí)現最 大的靈活性和易用性。
技術(shù)指標
除另行標注外,所有技術(shù)指標均為保障值。除另行標注外,所有技術(shù)指標均適用于所有型號。
1. 源測量單元
| 4200-SMU 中等功率 | 4210-SMU 高功率 | 選配 4200-PA 遠程前端放大器 |
電流 , 最大值 | 100 mA | 1 A | ? 擴展所有 SMU 的低電流測量范圍 |
電壓 , 最大值 | 210 V | 210 V |
功率 | 2.1 W | 21 W |
基本信息
四象限源/ 阱操作
每個(gè)SMU 上都有一個(gè)模數轉換器
支持4 線(xiàn)連接(開(kāi)爾文連接)
對數和線(xiàn)性測量掃描
4200A-SCS 主機可以支持最多9 個(gè)中等功率或高功率SMU 模塊
輸出接口
每個(gè)SMU 上三個(gè)迷你三同軸三同軸( 母頭) 接口,用于Force、Sense 和Sense Lo 一個(gè)定制15 針D-Sub ( 母頭) 接口,用于連接4200-PA
選配附件
4200-PA 遠程預放模塊
SMU 電流測量4
| 電流量程1 | 最大電壓 | 測量 | 源 |
分辨率3 | 精度 ±(% 讀數 + 安培) | 分辨率3 | 精度± (% 讀數 + 安培) |
4210-SMU 高功率SMU2 | 4210-SMU高功率SMU2 | 1 A | 21 V | 1 μA | 0.100% + 200 μA | 50 μA | 0.100% + 350 μA |
100 mA | 210 V | 100 nA | 0.045% + 3 μA | 5 μA | 0.050% + 15 μA |
4200-SMU 中等功率SMU2 | 100 mA | 21 V | 100 nA | 0.045% + 3 μA | 5 μA | 0.050% + 15 μA |
10 mA | 210 V | 10 nA | 0.037% + 300 nA | 500 nA | 0.042% + 1.5 μA |
1 mA | 210 V | 1 nA | 0.035% + 30 nA | 50 nA | 0.040% + 150 nA |
100 μA | 210 V | 100 pA | 0.033% + 3 nA | 5 nA | 0.038% + 15 nA |
10 μA | 210 V | 10 pA | 0.050% + 600 pA | 500 pA | 0.060% + 1.5 nA |
1 μA | 210 V | 1 pA | 0.050% + 100 pA | 50 pA | 0.060% + 200 pA |
100 nA | 210 V | 100 fA | 0.050% + 30 pA | 5 pA | 0.060% + 30 pA |
4200-SMU 和4210-SMU加選配4200-PA前端放大器 | 10 nA | 210 V | 10 fA | 0.050% + 1 pA | 500 fA | 0.060% + 3 pA |
1 nA | 210 V | 1 fA | 0.050% + 100 fA | 50 fA | 0.060% + 300 fA |
100 pA | 210 V | 300 aA | 0.100% + 30 fA | 15 fA | 0.100% + 80 fA |
10 pA | 210 V | 100 aA | 0.500% + 15 fA | 5 fA | 0.500% + 50 fA |
1 pA | 210 V | 10 aA | 1.000% + 10 fA | 1.5 fA | 1.000% + 40 fA |
限壓值:雙極性限壓值設置,可以設置所選電壓量程的10% 到滿(mǎn)量程區間任意值。 |
注
1. 所有量程擴展到滿(mǎn)量程的 105%。
2. 這些量程的技術(shù)指標在有或沒(méi)有 4200-PA 時(shí)均適用。
3. 顯示分辨率受到基礎噪聲極限限制。測得分辨率在每個(gè)量程上為 6 位半。源分辨率在每個(gè)量程上為 4 位半。
4. 測量精度和源精度是在下述條件下使用標配電纜時(shí)給出的。
SMU 電壓測量3
電壓范圍?1 | 最大電流 | 測量 | 源 |
| ? 4200-SMU | ? 4210-SMU | ? 分辨率?2 | 精度 ±(% 讀數 + 伏特 ) | ? 分辨率?2 | 精度 ±(% 讀數 + 伏特 ) |
200 V | 10.5 mA | 105 mA | 200 μV | 0.015% + 3 mV | 5 mV | 0.02% + 15 mV |
20 V | 105 mA | 1.05 A | 20 μV | 0.01% + 1 mV | 500 μV | 0.02% + 1.5 mV |
2 V | 105 mA | 1.05 A | 2 μV | 0.012% + 150 μV | 50 μV | 0.02% + 300 μV |
200 mV | 105 mA | 1.05 A | 0.2 μV | 0.012% + 100 μV | 5 μV | 0.02% + 150 μV |
限流值:雙極性限流值設置,可以設置所選電流量程的10% 到滿(mǎn)量程區間任意值。 |
注
1. 所有量程擴展到滿(mǎn)量程的105%。
2. 這些技術(shù)指標在有或沒(méi)有4200-PA 時(shí)均適用。
3. 測量精度和源精度是在下述條件下使用標配電纜時(shí)給出的。
電壓監測模式
高阻抗電壓表模式的設置為0 A 電流源輸出。
精度和分辨率
? 電壓范圍 | ? 測量分辨率 | 測量精度 ±(% 讀數 + 伏特 ) |
200 V | 200 mV | 0.015% + 3 mV |
20 V | 20 mV | 0.01% + 1 mV |
2 V | 2 mV | 0.012% + 110 mV |
200 mV | 0.2 mV | 0.012% + 80 mV |
SMU 補充信息
補充信息沒(méi)有保證,但提供了與4200-SMU、4210-SMU 儀器有關(guān)的實(shí)用信息。
過(guò)沖
0.1% 典型值
電壓
滿(mǎn)刻度步進(jìn), 阻性負載和10mA 范圍
電流
1 mA 步進(jìn), RL = 10 kW, 20 V 范圍
量程瞬態(tài)變化
溫度和濕度對精度的影響
精度指標乘以下面其中一個(gè)系數,具體視環(huán)境溫度和濕度而定。
溫度 | % 相對濕度 |
5-60 | 60-80 |
10° -18℃ | ×3 | ×3 |
18° -28℃ | ×1 | ×3 |
28° -40℃ | ×3 | ×5 |
4 線(xiàn)連接端(Remote Sense)
與FORCE 端子并聯(lián)<10Ω,FORCE 端子和SENSE 端子之間的壓差不超過(guò)5 V COMMON 和SENSE LO 之間最大±30 V。
最大負載電容
10 nF
最大Guard 偏置電壓
FORCE 與Gurad 不超過(guò) 3 mV
Guard 輸出阻抗
100 kΩ
最大Guard 電容
1500 pF
最大屏蔽電容
3300 pF
4200-SMU 和4210-SMU 輸入阻抗(Force 到Common)
>1012Ω (100 nA-1 μA 范圍)
最大屏蔽電容
>1016Ω (1 pA 和10 pA 范圍), >1013Ω (100 pA-100 nA 范圍)
噪聲特性( 典型值)
電壓源 (rms)
0.01% 的輸出量程
電流源 (rms)
0.1% 的輸出量程
電壓測量(p-p)
0.02% 的測量量程
電流測量 (p-p)
0.2% 的測量量程
?
最大上升速率
0.2 V/μs
DC 浮地電壓
Common 端相對機箱地最大電壓±32V
2. SMU 前端放大器模塊
通過(guò)增加選配的4200-PA 前端放大器,可以擴展任何SMU 的低電流測量功能。通過(guò)在任一SMU 型號中有效增加五個(gè)電流范圍, 前端放大器提供了0.1fA 分辨率。前端放大器模塊與系統無(wú)縫集成;對用戶(hù)來(lái)說(shuō),SMU 看上去只是提供了額外的低電流測試量程。
4200-PA 基本信息
安裝
本地
前端放大器預裝在4200A-SCS 后面板上,用于本地操作。
遠程
用戶(hù)可以從背面拆下前端放大器,放在遠程位置( 如在不透光的夾具盒或在探針臺內),以消除由于長(cháng)電纜導致的測量問(wèn)題。
輸入接口
一個(gè)定制接口,15 針,D-Sub ( 公頭)
輸出接口
兩個(gè)三同軸接口( 母頭)
外觀(guān)尺寸
.079 英寸寬 x 4.4 英寸深 x 2.2 英寸高(2 cm 寬 x 11.3 cm 深 x 5.6 cm 高)
重量
4.8 盎司(136 克)
使用4200-PA 前端放大器進(jìn)行SMU 電流測量4
| 電流量程1 | 最大電壓 | 測量 | 源 |
分辨率3 | 精度 ±(% 讀數 + 安培) | 分辨率3 | 精度± (% 讀數 + 安培) |
4210-SMU 高功率SMU2 | 4210-SMU高功率SMU2 | 1 A | 21 V | 1 μA | 0.100% + 200 μA | 50 μA | 0.100% + 350 μA |
100 mA | 210 V | 100 nA | 0.045% + 3 μA | 5 μA | 0.050% + 15 μA |
4200-SMU 中等功率SMU2 | 100 mA | 21 V | 100 nA | 0.045% + 3 μA | 5 μA | 0.050% + 15 μA |
10 mA | 210 V | 10 nA | 0.037% + 300 nA | 500 nA | 0.042% + 1.5 μA |
1 mA | 210 V | 1 nA | 0.035% + 30 nA | 50 nA | 0.040% + 150 nA |
100 μA | 210 V | 100 pA | 0.033% + 3 nA | 5 nA | 0.038% + 15 nA |
10 μA | 210 V | 10 pA | 0.050% + 600 pA | 500 pA | 0.060% + 1.5 nA |
1 μA | 210 V | 1 pA | 0.050% + 100 pA | 50 pA | 0.060% + 200 pA |
100 nA | 210 V | 100 fA | 0.050% + 30 pA | 5 pA | 0.060% + 30 pA |
4200-SMU 和4210-SMU加選配4200-PA前端放大器 | 10 nA | 210 V | 10 fA | 0.050% + 1 pA | 500 fA | 0.060% + 3 pA |
1 nA | 210 V | 1 fA | 0.050% + 100 fA | 50 fA | 0.060% + 300 fA |
100 pA | 210 V | 300 aA | 0.100% + 30 fA | 15 fA | 0.100% + 80 fA |
10 pA | 210 V | 100 aA | 0.500% + 15 fA | 5 fA | 0.500% + 50 fA |
1 pA | 210 V | 10 aA | 1.000% + 10 fA | 1.5 fA | 1.000% + 40 fA |
限壓值:雙極性限壓值設置,可以設置所選電壓量程的10% 到滿(mǎn)量程區間任意值。 |
注
1. 所有量程擴展到滿(mǎn)量程的 105%。
2. 這些量程的技術(shù)指標在有或沒(méi)有 4200-PA 時(shí)均適用。
3. 顯示分辨率受到基礎噪聲極限限制。測得分辨率在每個(gè)量程上為 6 位半。源分辨率在每個(gè)量程上為 4 位半。
4. 測量精度和源精度是在下述條件下使用標配電纜時(shí)給出的。
3. 多頻率電容- 電壓?jiǎn)卧?/h4>4210-CVU 基本信息
測量配置
四端子對,High POT,High CUR,Low POT,Low CUR
輸出接口
四個(gè)SMA 接口( 母頭)
標配電纜
100Ω, SMA ( 公頭) 到SMA ( 公頭), 1.5 m, 4 根
選配電纜
100Ω, SMA ( 公頭) 到SMA ( 公頭), 3 m
測量功能
測量參數
CP-G, CP-D, CS-RS, CS-D, R-jX, Z-theta
量程
自動(dòng)和固定
測試速度
Fast, Normal, Quiet, 和自定義
測試信號
頻率范圍
1 kHz ~ 10 MHz
最小分辨率
1 kHz, 10 kHz, 100 kHz, 1 MHz, 視頻率量程而定
源頻率精度
±0.1%
信號輸出電平范圍
10 mV rms ~ 100 mV rms
分辨率
1 mV rms
精度
±(10.0% + 1 mV rms) 無(wú)負載時(shí)( 在后面板)
輸出阻抗
100Ω, 典型值
DC 偏置功能
掃描特性
提供的掃描參數
DC 偏置電壓, 頻率, AC 電壓
掃描類(lèi)型
線(xiàn)性, 自定義
掃描方向
向上掃描, 向下掃描
測量點(diǎn)數
4096
測量精度4
C/G 測量精度實(shí)例
頻率 | 測量的電容 | C 精度 1 | G 精度 1, 2 |
10 MHz 3 | 1 pF | ±0.92% | ±590 ns |
10 pF | ±0.32% | ±1.8 μs |
100 pF | ±0.29% | ±17 μs |
1 nF | ±0.35% | ±99 μs |
1 MHz | 1 pF | ±1.17% | ±64 ns |
10 pF | ±0.19% | ±65 ns |
100 pF | ±0.10% | ±610 ns |
1 nF | ±0.09% | ±4 μs |
100 kHz | 10 pF | ±0.31% | ±28 ns |
100 pF | ±0.18% | ±59 ns |
1 nF | ±0.10% | ±450 ns |
10 nF | ±0.10% | ±3 μs |
10 kHz | 100 pF | ±0.31% | ±15 ns |
1 nF | ±0.15% | ±66 ns |
10 nF | ±0.08% | ±450 ns |
100 nF | ±0.10% | ±3 μs |
1 kHz | 1 nF | ±0.82% | ±40 ns |
10 nF | ±0.40% | ±120 ns |
100 nF | ±0.10% | ±500 ns |
1 μF | ±0.15% | ±10 μs |
注
1. 電容和電導測量精度是在下述條件下給出的:DX < 0.1。
2. 電導精度指定為參考的電容上測量的最大電導。
3. 這些指標是典型值,非保證值,適用于23℃,僅供參考。
4. 積分時(shí)間:10 kHz 以下時(shí)為1 s 或10 s。測試信號電平: 30 mV rms。在4210-CVU 的后面板上。
所有技術(shù)數據適用于23℃ ±5℃、校準后一年以?xún)?、相對濕?%~60%、預熱30 分鐘后。
CVU 電纜補充技術(shù)指標3
這些指標是典型值,非保證值,適用于23℃,僅供參考。
4210-CVU 典型電容精度,1.5m 電纜( 補充)
測得電容 | 1 kHz | 10 kHz | 100 kHz | 1 MHz | 10 MHz |
1 pF | - | ±8.38% | ±1.95% | ±0.43% | - |
10 pF | - | ±0.94% | ±0.21% | ±0.18% | ±1% |
100 pF | - | ±0.29% | ±0.20% | ±0.15% | ±1% |
1 nF | ±0.72% | ±0.17% | ±0.12% | ±0.16% | ±2% |
10 nF | ±0.28% | ±0.12% | ±0.13% | ±0.55% | - |
100 nF | ±0.12% | ±0.13% | ±0.22% | ±1.14% | - |
1 mF | ±0.17% | ±0.21% | - | - | - |
4210-CVU 典型電容精度,3m 電纜( 補充)
測得電容 | 1 kHz | 10 kHz | 100 kHz | 1 MHz | 10 MHz |
1 pF | - | ±8.5 % | ±2.05% | ±0.57% | - |
10 pF | - | ±0.96% | ±0.23% | ±0.21% | - |
100 pF | - | ±0.29% | ±0.20% | ±0.17% | - |
1 nF | ±0.72% | ±0.17% | ±0.12% | ±0.18% | - |
10 nF | ±0.28% | ±0.12% | ±0.13% | ±0.65% | - |
100 nF | ±0.12% | ±0.13% | ±0.22% | ±1.16% | - |
1 mF | ±0.17% | ±0.21% | - | - | - |
注
1. 電容和電導測量精度是在下述條件下指定的:DX < 0.1。
2. 電導精度指定為參考的電容上測量的最大電導。
3. 這些指標是典型值,非保證值,適用于23℃,僅供參考。
4. 積分時(shí)間:10 kHz 以下時(shí)為1 s 或10 s。測試信號電平: 30 mV rms。在4210-CVU 的后面板上。所有技術(shù)數據適用于23℃
±5℃、校準后一年以?xún)?、相對濕?%~60%、預熱30 分鐘后。
4. CV-IV 多通道開(kāi)關(guān)模塊
I-V/C-V 多通道開(kāi)關(guān)自動(dòng)在I-V 測量和C-V 測量之間切換。此外,C-V 測量可以 在不同端口間自動(dòng)切換,而不需重新布線(xiàn)。用戶(hù)可以配置每個(gè)通道,使用4200- PA 前端放大器或標準電流分辨率時(shí),選擇SMU 直傳模塊4200A-CVIV-SPT 保證 低電流測量精度。

4200A-CVIV 基本信息
輸入接口
4200-PA 前端放大器:自定義, 15 針, D-Sub ( 公頭)
4200-CVIV-SPT SMU 直傳模塊:每個(gè)模塊兩個(gè)三同軸接口( 母頭)
CVU:四個(gè)SMA 接口( 母頭)
輸出接口
8 個(gè)三同軸接口( 母頭)
外觀(guān)尺寸
19.8 cm 寬 x 14.2 cm 高 x 11.1 cm 深
(7.8 英寸寬 x 5.6 英寸高 x 4.4 英寸深)
重量
1.5 公斤(3.3 磅)
供電
通過(guò)USB 電纜連接至4200A-SCS 主機
輸出通道
可以配置最多4 個(gè)通道
最大電壓
210 V
最大電流
1A
SMU 通道
| 采用 4200-PA | 采用 4200A-CVIV-SPT |
偏置電流 | <100 fA | < 1pA |
偏置電壓 | <100mV | <100mV |
并聯(lián)電阻 | >1e15W | >1e14W |
DC 輸出電阻 (2 線(xiàn) ) | 1.5W | 1.5W |
DC 輸出電阻 (4 線(xiàn) ) | <100 mW | <100 mW |
SMU 通道
CVU DC 偏置功能
范圍
±30V @ 10 mA 最大值(60V 差分)
分辨率
1 mV
其他誤差( 對CVU 偏置功能)
<50μV
DC 輸出電阻(4 線(xiàn))
<100 mΩ
4210-CVU 連接到4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)的典型精度,除另外標注外均為2 線(xiàn)模式1,3
測得電容 | 1 kHz | 10 kHz | 100 kHz | 1 MHz |
1 pF | 未指明 | ±9.0% | ±2.2% | ±0.7% |
10 pF | 未指明 | ±1.0% | ±0.5% | ±0.5% |
100 pF | 未指明 | ±0.5% | ±0.5% | ±0.5% |
1 nF | ±0.8% | ±0.5% | ±0.5% | ±0.5% 2 |
10 nF | ±0.5% | ±0.5% | ±0.5% | ±0.75% 2 |
100 nF | ±0.5% | ±0.5% | ±0.5% | ±1.25% 2 |
1mF | ±0.5% | ±0.5% | 未指明 | 未指明 |
注
1. CVU 補償時(shí)間不超過(guò)一個(gè)月內有效。
2. 4 線(xiàn)模式下指定;低阻抗器件推薦使用4 線(xiàn)測試。
3. 上述技術(shù)數據是典型值,非保證值,適用于25℃,僅供參考。
5. 超快速脈沖測量單元
2 通道4225-PMU 同時(shí)提供了超快速電壓波形發(fā)生器及電壓電流同步快速測試功能。
4225-PMU 基本信息
輸出接口
四個(gè)SMA 接口( 母頭) 和兩個(gè)HDMI 接口
提供的電纜
SMA( 公頭) 到SMA ( 公頭), 2m, 每臺4 根(CA-404B)
SMA 到SSMC Y 型電纜, 6 英寸(15 cm), 每臺2 根(4200-PRB-C)
選配附件
4225-RPM 單通道, 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊
PMU 電流測量
定時(shí)參數,有和沒(méi)有4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊時(shí)的典型值
| 10 V 量程 | 40 V 量程 |
電流測量量程 | 10 mA | 200 mA | 100mA | 10 mA | 800 mA |
推薦最小脈沖寬度 2 | 160 ns | 70 ns | 6.4ms | 770 ns | 770 ns |
推薦最小測量窗口 2 | 20 ns | 20 ns | 1ms | 100 ns | 100 ns |
推薦最小跳變時(shí)間 3 | 20 ns | 20 ns | 1ms | 100 ns | 100 ns |
噪聲 4 | 15mA | 50mA | 75 nA | 5mA | 200mA |
穩定時(shí)間 5 | 100 ns | 30 ns | 4ms | 500 ns | 500 ns |
注
1. 所有典型值都使用開(kāi)路測得。
2. 使用75%~90% 的脈沖頂部默認測量窗口。推薦最小脈沖寬度 = ( 穩定時(shí)間) / 75%。
3. 推薦上升/ 下降時(shí)間,使過(guò)沖達到最小。
4. 電壓或電流量程一定時(shí)推薦最小測量窗口上測得的RMS 噪聲,典型值。
5. 信號穩定到DC 精度電平所需的時(shí)間。( 例:10mA 電流量程在PMU 10V 量程下的穩定時(shí)間定義為信號穩定到最終值的1.25%范圍內所需時(shí)間。計算公式:精度 = 0.25% + 100mA = 0.25% + (100mA/10 mA) = 0.25% + 1% = 1.25%)。
定時(shí)參數,使用4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊時(shí)的典型值1
電流測量量程 |
|
|
|
|
|
|
100 nA | 1mA | 10mA | 100mA | 1 mA | 10 mA |
|
推薦最小脈沖寬度 2 | 134ms | 20.4ms | 8.36ms | 1.04ms | 370 ns | 160 ns |
推薦最小測量窗口 2 | 10ms | 1.64ms | 1ms | 130 ns | 40 ns | 20 ns |
推薦最小跳變時(shí)間 3 | 1ms | 360 ns | 360 ns | 40 ns | 30 ns | 20 ns |
噪聲 4 | 200 pA | 2 nA | 5 nA | 50 nA | 300 nA | 1.5mA |
穩定時(shí)間 5 | 100ms | 15ms | 6 μs | 750 ns | 250 ns | 100 ns |
注
1. 所有典型值都使用開(kāi)路測得。
2. 使用75%~90% 的脈沖頂部默認測量窗口。推薦最小脈沖寬度 = ( 穩定時(shí)間) / 75%。
3. 推薦上升/ 下降時(shí)間,使過(guò)沖達到最小。
4. 電壓或電流量程一定時(shí)推薦最小測量窗口上測得的RMS 噪聲,典型值。
5. 信號穩定到DC 精度電平所需的時(shí)間。( 例:10mA 電流量程在PMU 10V 量程下的穩定時(shí)間定義為信號穩定到最終值的1.25% 范圍內所需時(shí)間。計算公式:精度 = 0.25% + 100mA = 0.25% + (100mA/10 mA) = 0.25% + 1% = 1.25%)。
PMU 電流測量精度
僅4225-PMU
| 10 V 量程 | 40 V 量程 |
電流測量量程 | 10 mA | 200 mA | 100 mA | 10 mA | 800 mA |
精度 (DC) | ±(0.25% + 100 mA) | ±(0.25% + 250 mA) | ±(0.25% + 1mA) | ±(0.5% + 100mA) | ±(0.25% + 3 mA) |
4225-PMU 和RPM 組合
| 10 V 量程 |
電流測量量程 | 100 nA | 1mA | 10mA | 100mA | 1 mA | 10 mA |
精度 (DC) | ±(0.5% + 1 nA) | ±(0.5% + 1 nA) | ±(0.5% + 30 nA) | ±(0.5% + 100 nA) | ±(0.5% + 1mA) | ±(0.5% +10mA) |
PMU 電壓測量
定時(shí)參數, 典型值1
| 4225-PMU | 4225-RPM |
電壓測量量程 | 10 V | 40 V | 10 V |
推薦最小脈沖寬度 2 | 70 ns | 150 ns | 160 ns |
推薦最小測量窗口 2 | 20 ns | 20 ns | 20 ns |
推薦最小跳變時(shí)間 3 | 20 ns | 100 ns | 20 ns |
噪聲 4 | 2 mV | 8 mV | 1 mV |
穩定時(shí)間 5 | 30 ns | 30 ns | 100 ns |
注
1. 所有典型值都使用開(kāi)路測得。
2. 使用75%~90% 的脈沖頂部默認測量窗口。推薦最小脈沖寬度 = ( 穩定時(shí)間) / 75%。
3. 推薦上升/ 下降時(shí)間,使過(guò)沖達到最小。
4. 電壓或電流量程一定時(shí)推薦最小測量窗口上測得的RMS 噪聲,典型值。
5. 信號穩定到DC 精度電平所需的時(shí)間。( 例:10mA 電流量程在PMU 10V 量程下的穩定時(shí)間定義為信號穩定到最終值的1.25%范圍內所需時(shí)間。計算公式:精度 = 0.25% + 100mA = 0.25% + (100mA/10 mA) = 0.25% + 1% = 1.25%)。
PMU 電壓精度
| ±10 V PMU | ±40 V PMU | ±10 V RPM |
精度 (DC) | ±(0.25% + 10 mV) | ±(0.25% + 40 mV) | ±(0.25% + 10 mV) |
電壓和電流, 最大值1
| 10V 量程 | 40V 量程 |
電阻 2 | 最大電壓 2 | 最大電流 2 | 最大電壓 2 | 最大電流 2 |
1 Ω | 0.196 V | 196 mA | 0.784 V | 784 mA |
5 Ω | 0.909 V | 182 mA | 3.64 V | 727 mA |
10 Ω | 1.67 V | 167 mA | 6.67 V | 667 mA |
25 Ω | 3.33 V | 133 mA | 13.3 V | 533 mA |
50 Ω | 5.00 V | 100 mA | 20.0 V | 400 mA |
100 Ω | 6.67 V | 66.7 mA | 26.7 V | 267 mA |
250 Ω | 8.33 V | 33.3 mA | 33.3 V | 133 mA |
1 kΩ | 9.52 V | 9.5 mA | 38.1 V | 38.1 mA |
10 kΩ | 9.95 V | 995 mA | 39.8 V | 3.98 mA |
注
1. 計算任何負載電阻上得到的最大電流和電壓:
IMAX = 電壓量程/(50W + 電阻)
VMAX = IMAX - 電阻
其中:電阻是連接到PMU 或PGU 通道的總電阻,電壓量程為10 或40。例:采用10 V 量程 R= 10W (DUT 阻值 + 互連阻值)
VMAX = IMAX - R = 0.167 - 10 = 1.67 V
2. 脈沖輸出接口上典型的最大值。電阻是連接到脈沖輸出接口的總電阻,包括器件和互連電阻。

PMU 脈沖/ 幅值1,2
|
| 10 V 量程 | 40 V 量程 |
VOUT | 50Ω 至 1 MΩ | -10 V ~ +10 V | -40 V ~ +40 V |
VOUT | 50Ω 至?50Ω | -5 V ~ +5 V | -20 V ~ +20 V |
精度 |
| ±(0.5% + 10 mV) | ±(0.2% + 20 mV) |
分辨率 | 50Ω 至?50Ω | <250 mV | <750 mV |
50Ω 至 1 MΩ | <0.05 mV | <1.5 mV |
過(guò)沖/ 預沖/ 振鈴 3 | 50Ω 至?50Ω | ±(3% + 20 mV) | ±(3% + 80 mV) |
50Ω 至?50Ω, 最好情況典型值 | ±(2% + 20 mV) | ±(0.8% + 40 mV) |
基線(xiàn)噪聲 |
| ±(0.3% + 1 mV) RMS 典型值 | ±(0.1% + 5 mV) RMS 典型值 |
源阻抗 |
| 50Ω 標稱(chēng)值 | 50Ω 標稱(chēng)值 |
電流至 50Ω 負載( 在滿(mǎn)量程時(shí)) |
| ±100 mA 典型值 | ±400 mA 典型值 |
短路電流 |
| ±200 mA | ±800 mA |
輸出限制保護 |
| 可編程極限,保護被測器件 |
注
1. 除另外指明外,所有技術(shù)數據均假設采用50W 端接。
2. 幅值指標適用于10 V 源量程50 ns 的典型穩定時(shí)間后( 在轉換后),40 V 源量程500 ns 的典型穩定時(shí)間后( 轉換后),負載均為50W。
3. 對10 V 源范圍,跳變時(shí)間為20 ns (0%-100%);對40 V 源范圍,跳變時(shí)間為100 ns (0%-100%)。
PMU 脈沖定時(shí)
| 10 V 量程僅源 | 10 V 量程帶測量 | 40 V 量程僅源 | 40 V 范圍帶測量 |
頻率范圍 | 1 Hz ~ 50 MHz | 1 Hz ~ 8.3 MHz | 1 Hz ~ 10 MHz | 1 Hz ~ 3.5 MHz |
定時(shí)分辨率 | 10 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns |
RMS 抖動(dòng) ( 時(shí)間周期 , 寬度 ), 典型值 | 0.01% + 200 ps | 0.01% + 200 ps | 0.01% + 200 ps | 0.01% + 200 ps |
周期范圍 | 20 ns ~ 1 s | 120 ns ~ 1 s | 100 ns ~ 1s | 280 ns ~ 1s |
精度 | ±1% | ±1% | ±1% | ±1% |
脈沖寬度范圍 | 10 ns ~ ( 周期 -10 ns) | 60 ns ~ ( 周期 -10 ns) | 50 ns ~ ( 周期 -10 ns) | 140 ns ~? ( 周期 -10 ns) |
精度 | ±(1% + 200 ps) | ±(1% + 200 ps) | ±(1% + 5 ns) | ±(1% + 5 ns) |
可編程跳變時(shí)間 (0%-100%) | 10 ns ~ 33 ms | 20 ns ~ 33 ms | 30 ns ~ 33 ms 1 | 100 ns ~ 33 ms |
跳變上升速率精度 | ±1%( 跳變 > 100 ns) | ±1%( 跳變 > 100 ns) | ±1%( 跳變 > 1 μs) | ±1%( 跳變 > 100 ns) |
固態(tài)繼電器開(kāi) / 關(guān)時(shí)間 | 25ms | 25ms | 25ms | 25ms |
注
1. 在電壓<10 v="" 40v="">10 V 時(shí),為100 ns。
電壓源, 最好性能
在采用4225-PMU 作為純電壓源時(shí)( 不測量電壓或電流),定時(shí)性能會(huì )得到改進(jìn)。下面更清楚地闡述了作為電壓源使用時(shí)的最 好性能,這是在最優(yōu)條件下實(shí)現的。這些數據不應理解為保障值。
| 10V 量程 | 40V 量程 |
上升時(shí)間 | <10 ns | 50 ns ~ 10 V, 100 ns ~ 40 V |
脈沖寬度 | 10 ns (FWHM) | 50 ns (FWHM) |
周期 | 20 ns | 100 NS |
過(guò)沖/ 下沖/ 振鈴 | ±(2% + 20 mV) | ±(0.5% + 40 V) |
觸發(fā)
觸發(fā)輸出阻抗
50Ω
觸發(fā)輸出電平
TTL
觸發(fā)輸入阻抗
10 k
觸發(fā)輸入電平
TTL
觸發(fā)輸入跳變定時(shí),最大值
<100 ns
觸發(fā)輸入到脈沖輸出延遲
400 ns
觸發(fā)同步/ 抖動(dòng)1
<2 ns
Segment ARB? 和定時(shí)
Segment ARB 功能適用于4225-PMU 和4220-PGU,適用于有或沒(méi)有4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊的情況。
注
1. 對一臺4200A-SCS 機箱中有多張4225-PMU 或4220-PGU 卡。
2. 每個(gè)通道。
6. 脈沖發(fā)生器單元
在不需要脈沖測量時(shí),2 通道純電壓脈沖發(fā)生器為4225-PMU 超快速脈沖測量單元提供了經(jīng)濟的替代方案。
4220-PGU 基本信息
輸出接口
四個(gè)SMA 接口( 母頭)
標配電纜
SMA ( 公頭) 到SMA( 公頭), 2 m, 每臺4 根(CA-404B)
SMA ( 公頭) 到SSMC Y 型電纜, 15 cm (6 英寸), 每臺2 根(4200-PRB-C)
脈沖/ 電平1,2
|
| 10V 量程 | 40V 量程 |
VOUT | 50Ω 至 1 MΩ | -10 V ~ +10 V | -40 V ~ +40 V |
VOUT | 50Ω 至?50Ω | -5 V ~ +5 V | -20 V ~ +20 V |
精度 | - | ±(0.5% + 10 mV) | ±(0.2% + 20 mV) |
分辨率 | 50Ω 至?50Ω | <250mV | <750mV |
50Ω 至 1 MΩ | <0.5 mV | <1.5 mV |
過(guò)沖/ 下沖/ 振鈴 3 | 50Ω 至?50Ω | ±(3% + 20 mV) | ±(3% + 80 mV) |
50Ω 至?50Ω, 最好情況典型值 | ±(2% + 20 mV) | ±(0.8% + 40 mV) |
基線(xiàn)噪聲 | - | ±(0.3% + 1 mV) RMS 典型值 | ±(0.1% + 5 mV) RMS 典型值 |
源阻抗 | - | 50Ω 標稱(chēng)值 | 50Ω 標稱(chēng)值 |
電流至 50Ω 負載 ( 在滿(mǎn)量程時(shí) ) | - | ±100 mA 典型值 | ±400 mA 典型值 |
短路電流 | - | ±200 mA | ±800 mA |
輸出限制保護 | - | 可編程極限,保護被測器件 |
注
1. 除另行指明外,所有技術(shù)數據均假設50W 端接。
2. 電平指標適用于10 V 源量程50 ns 的典型穩定時(shí)間后( 在轉換后),40 V 源量程500 ns 的典型穩定時(shí)間后( 轉換后),負載均為50W。
3. 對10 V 源范圍,跳變時(shí)間為20 ns (0%-100%);對40 V 源范圍,跳變時(shí)間為100 ns (0%-100%)。
脈沖定時(shí)
| 10 V 量程, 僅源 | 40 V 量程, 僅源 |
頻率范圍 | 1 Hz ~ 50 MHz | 1 Hz ~ 10 MHz |
定時(shí)分辨率 | 10 ns | 10 ns |
RMS 抖動(dòng) ( 時(shí)間周期 , 寬度 ), 典型值 | 0.01% + 200 ps | 0.01% + 200 ps |
周期范圍 | 20 ns ~ 1 s | 100 ns ~ 1s |
精度 | ±1% | ±1% |
脈沖寬度范圍 | 10 ns ~ ( 周期 -10 ns) | 50 ns ~ ( 周期 -10 ns) |
精度 | ±(1% + 200 ps) | ±(1% + 5 ns) |
可編程跳變時(shí)間 (0%-100%) | 10 ns ~ 33 ms | 30 ns ~ 33 ms 1 |
跳變上升速率精度 | ±1% ( 跳變 > 100 ns) | ±1%( 跳變 > 1 ms) |
固態(tài)繼電器開(kāi) / 閉時(shí)間 | 25 ms | 25 ms |
注
1. 對10 V 源范圍,跳變時(shí)間為30 ns;對>10 V 源范圍,跳變時(shí)間為100 ns。
電壓源, 最好性能
在采用4225-PMU 作為純電壓源時(shí)( 不測量電壓或電流),定時(shí)性能會(huì )得到改進(jìn)。下面更清楚地闡述了作為電壓源使用時(shí)的最 好性能,這是在最優(yōu)條件下實(shí)現的。這些數據不應理解為保障值。
| 10V 量程 | 40V 量程 |
上升時(shí)間 | <10 ns | 50 ns ~ 10 V, 100 ns ~ 40 V |
脈沖寬度 | 10 ns (FWHM) | 50 ns (FWHM) |
周期 | 20 ns | 100 NS |
過(guò)沖/ 下沖/ 振鈴 | ±(2% + 20 mV) | ±(0.5% + 40 V) |
觸發(fā)輸出阻抗
50Ω
觸發(fā)輸出電平
TTL
觸發(fā)輸入阻抗
10 k
觸發(fā)輸入電平
TTL
觸發(fā)輸入跳變定時(shí),最大值
<100 ns
觸發(fā)輸入到脈沖輸出延遲
400 ns
觸發(fā)同步/ 抖動(dòng)1
<2 ns
Segment ARB? 和定時(shí)
Segment ARB 功能適用于4225-PMU 和4220-PGU,適用于有或沒(méi)有4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊的情況。
1. 適用于一個(gè)4200A-SCS 機箱中的多張4225-PMU 或4220-PGU 卡。
7. 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊
4225-RPM 可以在I-V 測量、C-V 測量和脈沖式I-V 測量之間自動(dòng)切換,允許選 擇相應的測量,而不需對測試設置重新布線(xiàn)。此外,RPM 擴展了4225-PMU 脈沖 測量模塊的電流量程。
4225-RPM 基本信息

輸入
三個(gè)輸入。SMU Force, SMU Sense, CVU Pot, CVU Cur, RPM Control
輸出
一個(gè)通道
輸入接口
三同軸接口( 母頭), 兩個(gè)SMA 接口( 母頭), 兩個(gè)HDMI
輸出接口
三同軸接口( 母頭), 兩個(gè)
外觀(guān)尺寸
1.34 英寸寬 x 4.9 英寸深 x 3.0 英寸高(3.4 cm 寬 x 12.5 cm 深 x 7.6 cm 高)
帶底座時(shí)外觀(guān)尺寸
1.34 英寸寬 x 4.9 英寸深 x 3.8 英寸高(3.4 cm 寬 x 12.5 cm 深 x 9.6 cm 高)
重量
8.6 盎司(245 克) ( 帶底座時(shí): 13.4 盎司(381 克))
選配附件
磁性底座
真空底座
RPM 電流測量
定時(shí)參數, 帶有4225-PMU 和4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊的典型值
電流測量量程 | 100 nA | 1mA | 10mA | 100mA | 1 mA | 10 mA |
推薦最小脈沖寬度 2 | 134ms | 20.4ms | 8.36ms | 1.04ms | 370 ns | 160 ns |
推薦最小測量窗口 2 | 10 ms | 1.64ms | 1ms | 130 ns | 40 ns | 20 ns |
推薦最小跳變時(shí)間 3 | 1ms | 360 ns | 360 ns | 40 ns | 30 ns | 20 ns |
噪聲 4 | 200 pA | 2 nA | 5 nA | 50 nA | 300 nA | 1.5mA |
穩定時(shí)間 5 | 100ms | 15ms | 6ms | 750 ns | 250 ns | 100 ns |
注
1. 所有典型值都使用開(kāi)路測得。
2. 使用75%~90% 的脈沖頂部默認測量窗口。推薦最小脈沖寬度 = ( 穩定時(shí)間) / 75%。
3. 推薦上升/ 下降時(shí)間,使過(guò)沖達到最小。
4. 電壓或電流量程一定時(shí)推薦最小測量窗口上測得的RMS 噪聲,典型值。
5. 信號穩定到DC 精度電平所需的時(shí)間。( 例:10mA 電流量程在PMU 10V 量程下的穩定時(shí)間定義為信號穩定到最終值的1.25%范圍內所需時(shí)間。計算公式:精度 = 0.25% + 100 μA = 0.25% + (100 μA/10 mA) = 0.25% + 1% = 1.25%)。
電流測量精度
4225-PMU 和RPM 組合
| 10 V 范圍 |
電流測量范圍 | 100 nA | 1mA | 10mA | 100mA | 1 mA | 10 mA |
精度 (DC) | ±(0.5% + 1 nA) | ±(0.5% + 1 nA) | ±(0.5% + 30 nA) | ±(0.5% + 100 nA) | ±(0.5% + 1mA) | ±(0.5% +10mA) |
脈沖/ 電平1
脈沖 / 電平 1 | 4225-PMU 及 4225-RPM |
VOUT | -10 V ~ + 10 V |
到開(kāi)路負載的精度 2 | ±(0.5% ± 10 mV) |
分辨率 | < .05mV |
基線(xiàn)噪聲 | ±(0.39% ± 1 mV) RMS 典型值 |
過(guò)沖/ 下沖/ 振鈴 3 | ± 2% 的幅度 ± 20 mV |
注
1. 在4225-PMU 和4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊之間使用2m RPM 互加電纜時(shí)4225-RPM 三同軸輸出接口處的性能。
2. 100mV ~ 10V。
3. 典型值, 跳變時(shí)間100ns (0% - 100%)。
使用4225-PMU 進(jìn)行RPM 電壓測量
定時(shí)參數, 典型值1
| 4225-RPM |
電壓測量范圍 | 10 V |
推薦最小脈沖寬度 2 | 160 ns |
推薦最小測量窗口 2 | 20 ns |
推薦最小跳變時(shí)間 3 | 20 ns |
噪聲 4 | 1 mV |
穩定時(shí)間 5 | 100 ns |
注
1. 所有典型值都使用開(kāi)路測得。
2. 使用75%~90% 的脈沖頂部默認測量窗口。推薦最小脈沖寬度 = ( 穩定時(shí)間) / 75%。
3. 推薦上升/ 下降時(shí)間,使過(guò)沖達到最小。
4. 電壓或電流量程一定時(shí)推薦最小測量窗口上測得的RMS 噪聲,典型值。
5. 信號穩定到DC 精度電平所需的時(shí)間。( 例:10mA 電流量程在PMU 10V 量程下的穩定時(shí)間定義為信號穩定到最終值的1.25%范圍內所需時(shí)間。計算公式:精度 = 0.25% + 100mA = 0.25% + (100 mA/10 mA) = 0.25% + 1% = 1.25%)。
8. 開(kāi)關(guān)矩陣配置
超低電流/ 本地傳感配置(4200-UL-LS-XX)
超低電流/ 本地傳感開(kāi)關(guān)配置采用吉時(shí)利7174A 低電流矩陣卡(帶有707B 或708B 開(kāi)關(guān)矩陣)構建,是為要求高質(zhì)量、高性 能I-V 和C-V 信號開(kāi)關(guān)的半導體研究、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)應用設計的。這種配置提供了8 個(gè)儀器輸入,支持最多72 個(gè)輸出引腳, 典型偏置電流僅10 fA。
整體信息 (4200-UL-LS-XX)
接口類(lèi)型
3 槽三同軸
最大信號電平
200 V, 1 A
偏置電流
<1 pA ( 行A-B)
最大泄漏電流
0.01 pA/V
3 dB 帶寬
30MHz 典型值
4200-LC-LS-12/B 或-12/707B
1 臺708B ( 或707B) 開(kāi)關(guān)主機
1 個(gè)7072 矩陣開(kāi)關(guān)卡
12 根4200-TRX-3 電纜
1 根7007-1 IEEE-488 電纜
2 個(gè)7078-TRX-BNC 轉接頭
4200-LC-LS-24/B 或-36B, -48B, -60B, -72B
1 臺707B 開(kāi)關(guān)主機
每12 針1 個(gè)7072 矩陣開(kāi)關(guān)卡
每12 針12 根4200-TRX-3 電纜
1 根7007-1 IEEE-488 電纜
2 個(gè)7078-TRX-BNC 轉接頭

707B 6 插槽半導體開(kāi)關(guān)矩陣主機

708B 單插槽半導體開(kāi)關(guān)矩陣主機
低電流/ 本地傳感配置(4200-LC-LS-XX)
低電流/ 本地傳感開(kāi)關(guān)配置采用吉時(shí)利7072 半導體矩陣卡構建,是為要求優(yōu)異質(zhì)量的I-V 和C-V 信號的半導體應用專(zhuān)門(mén)設計 的。這種配置提供了8 個(gè)儀器輸入,支持最多72 個(gè)輸出引腳,偏置電流不到1 pA。
整體信息(4200-LC-LS-XX)
連接器類(lèi)型
3 蝶閥三軸電纜連接器
最大信號電平
200 V, 1 A
偏置電流
<1 pA ( 第A(yíng)-B 行)
最大泄漏電流
0.1 pA/V
3 dB 帶寬
5 MHz 典型值( 第G-H 行)
4200-UL-LS-12/B 或-12/707B
1 臺708B ( 或707B) 開(kāi)關(guān)主機
1 個(gè)7174A 開(kāi)關(guān)卡
每12 針12 根4200-TRX-3 電纜
1 根7007-1 IEEE-488 電纜
2 個(gè)7078-TRX-BNC 轉接頭
4200-LC-LS-24/B, -36/B, -48/B, -60/B, -72/B
1 臺707B 開(kāi)關(guān)主機
每12 針1 張7072 矩陣開(kāi)關(guān)卡
每12 針12 條4200-TRX-3 電纜
1 條7007-1 IEEE-488 電纜
2 個(gè)7078-TRX-BNC 轉接頭
9. NBTI/PBTI 套件
4200-BTI-A 套件同時(shí)提供了吉時(shí)利高級DC I-V 和超快速I(mǎi)-V 測量功能及自動(dòng)測試執行軟件,提供了半導體測試行業(yè)內最先進(jìn)的NBTI/PBTI 測試平臺。
4200-BTI-A 超快速NBTI/PBTI
4200-BTI-A 套件包括在尖端硅CMOS 技術(shù)上進(jìn)行最完善的NBTI 和PBTI 測量所需的全部?jì)x器、互連和軟件。
Model 4200-BTI-A
提供了單機集成解決方案中最佳的高速度、低電流測量靈敏度。
確保源/ 測量?jì)x器在進(jìn)行低電平測量時(shí)不會(huì )成為限制因素。
ACS 軟件以套件方式提供,支持構建復雜的測試序列,包括最多20 個(gè)測量序列及多種探針臺驅動(dòng)。它還:
把DC I-V 和超快速I(mǎi)-V 測量簡(jiǎn)便集成到加壓前和加壓后測量序列中。
使用AC 或DC 壓力分析退化和恢復特性。
在較長(cháng)的壓力測量序列中包括單脈沖電荷阱陷(SPCT) 測量。
4200-BTI-A 超快速NBTI/PBTI 包括:
1 個(gè)4225-PMU 超快速I(mǎi)-V 模塊
2 個(gè)4225-RPM 遠程前端放大器/ 開(kāi)關(guān)模塊
自動(dòng)化特性分析套件(ACS) 軟件
超快速BTI 測試項目模塊
線(xiàn)纜

使用8 個(gè)SMU 對20 個(gè)器件進(jìn)行并行HCI 和NBTI 測試的實(shí)例。公共端子使用單獨的接地單元(GNDU)。
10. Clarius+ 軟件
Clarius+ 軟件為運行和維護4200A-SCS 參數分析儀提供了各種工具。
自帶的軟件模塊
Clarius
用來(lái)測試和分析器件、材料和工藝特點(diǎn)的圖形用戶(hù)界面。Clarius 軟件提供了統一測量界面,引導您完成復雜的特性分析測試,您可以把重點(diǎn)放在研發(fā)項目上。
吉時(shí)利用戶(hù)庫工具(KULT)
協(xié)助測試工程師創(chuàng )建自定義測試程序,使用現有的吉時(shí)利和第三方C 語(yǔ)言子例程庫。用戶(hù)可以編輯和匯編子例程,然后把子例程庫與KITE 集成在一起,允許4200A-SCS 從一個(gè)用戶(hù)界面控制整個(gè)測試機架。要求選配4200-Compiler。
吉時(shí)利外部控制接口(KXCI)
通過(guò)GPIB 總線(xiàn)從外部計算機控制4200A-SCS。
吉時(shí)利配置工具(KCon)
允許測試工程師配置連接到4200A-SCS 的GPIB 儀器、開(kāi)關(guān)矩陣和探針臺。同時(shí)還提 供了一些診斷工具。
KPulase
一個(gè)圖形用戶(hù)界面,無(wú)需編程,用來(lái)配置和控制安裝的4225-PMU 或4220-PGU 脈沖 發(fā)生器模塊。它用于快速測試,與其他4200A-SCS 測試資源的交互要求達到最小。
Clarius 用戶(hù)界面軟件
Clarius 4200A-SCS 上運行的標配用戶(hù)界面軟件。Clarius 在嵌入式Windows 7 操作系 統上運行。它為現代半導體器件、材料和工藝特性分析提供了測試方案選擇和開(kāi)發(fā)、高 級測試配置、參數分析和圖示及自動(dòng)化功能。
數據分析
提供了兩種參數提取方式。Formulator 為執行自動(dòng)線(xiàn)擬合和參數提取執行數據變換。電 子表格提供了標準電子表格分析工具。許多樣例庫都包括參數提取實(shí)例。
Formulator
Formulator 支持數學(xué)運算功能、轉換功能、搜索功能、常用行業(yè)常數和線(xiàn)擬合/ 參數提 取功能。Formulator 支持下述功能:
數學(xué)函數
加(+), 減(-), 除(/), 乘(*), 指數(^), 絕對值(ABS), 索引位置值(AT), 平均數(AVG), 移動(dòng) 平均(MAVG), 條件計算(COND), 導數(DELTA), 差分系數(DIFF), 指數(EXP), 平方根 (SQRT), 自然對數(LN), 對數(LOG), 積分(INTEG), 標準方差(STDEV), 移動(dòng)求和 (SUMMV), 反余弦(ACOS), 反正弦(ASIN), 反正切(ATAN), 余弦(COS), 正弦(SIN), 正切(TAN)
轉換功能
弧度到度(DEG), 度到弧度(RAD)
直線(xiàn)擬合和參數提取功能
指數直線(xiàn)擬合(EXPFIT), 系數a (EXPFITA), 系數b (EXPFITB),線(xiàn)性擬合(LINFIT), 線(xiàn)性 斜率(LINFITSLP), x 截距(LINFITXINT), y 截距(LINFITYINT) 對數線(xiàn)擬合(LOGFIT), 系數 a (LOGFITA), 系數b (LOGFITB) 線(xiàn)性回歸線(xiàn)擬合(REGFIT), 斜率(REGFITSLP), x 截距 (REGFITXINT), y 截距(REGFITYINT) 切線(xiàn)擬合(TANFIT), 斜率(TANFITSLP), x 截距 (TANFITXINT), y 截距(TANFITYINT) 多項式線(xiàn)擬合包括POLYFIT2、POLY2COEFF 和 POLYNFIT。最大值(MAX), 最小值(MIN), 中值(MEDIAN)
搜索功能
向下查找(FINDD), 向上查找(FINDU), 使用線(xiàn)性插補查找(FINDLIN), 最大值位置(MAXPOS), 最小值位置(MINPOS),第一個(gè)位置(FIRSTPOS), 最后一個(gè)位置(LASTPOS) 子陣列 (SUBARRAY), 返回指定數量的點(diǎn)(INDEX)
Formulator 常數
Formulator 支持用戶(hù)提供的常數,用于參數提取。以下常數在出廠(chǎng)時(shí)軟件自帶常數:
PI = 3.14159 rad (π)
K = 1.38065 × 10-23 J/K ( 玻爾茲曼常數)
Q = 1.60218 × 10-19 C ( 電子的電荷)
M0 = 9.10938 × 10-31 kg ( 電子質(zhì)量)
EV = 1.60218 × 10-19 J ( 電子電壓)
U0 = 1.25664 × 10-6 -2 ( 磁導率)
E0 = 8.85419 × 10-12 F/m ( 真空的磁導率)
H = 6.62607 × 10-34 J-s ( 普朗克常數)
C = 2.99792 × 10+8 m/s ( 光速)
KT/Q = 0.02568 V ( 熱電壓)
自動(dòng)化
測試序列
Clarius 在一個(gè)器件、一組器件( 子站、模塊或測試單元組) 或晶圓上用戶(hù)可編程數量的 探針臺上提供了“指向點(diǎn)擊”測試定序功能。
探針臺控制
吉時(shí)利集成了很多探針臺驅動(dòng)可以在測試過(guò)程中自動(dòng)控制探針臺。與工廠(chǎng)聯(lián)系來(lái)確認支 持的探針臺廠(chǎng)家及型號?!笆謩?dòng)”探針臺模式允許操作人員在測試序列過(guò)程中對探針臺 進(jìn)行操作。
支持的探針臺
手動(dòng)探針臺
使用手動(dòng)探針臺驅動(dòng)進(jìn)行測試,而不需使用自動(dòng)探針臺功能。手動(dòng)探針臺由操作人員控 制來(lái)代替電腦控制。在每條命令下,會(huì )出現一個(gè)對話(huà)提示框,指導操作人員要求哪些操作。
虛擬探針臺
在不希望探針臺操作時(shí)可以使用虛擬探針臺,如在調試時(shí),而沒(méi)有必要從測試序列中刪 除探針臺命令。
支持的半自動(dòng)( 分析) 探頭
Cascade Microtech Summit? 12K 系列- Verified with Nucleus UI Karl Suss Model PA-200-Verified with Wafermap for ProberBench NT, ProberBench NT 專(zhuān)用NI-GPIB 驅動(dòng)程序, ProberBench NT 專(zhuān)用PBRS232 接口, Navigator for ProberBench NT, Remote Communicator for ProberBench NT MicroManipulator 8860 Prober-Verified with pcBridge, pcLaunch, pcIndie, pcWfr, pc-Nav, pcRouter Signatone CM500 驅動(dòng)器還適用于帶有互鎖控制器的其他Signatone 探頭, 如WL250 和 S460SE Wentworth Laboratories Pegasus? FA 系列
其他支持但沒(méi)有列出的探頭
吉時(shí)利用戶(hù)庫工具(KULT)
(要求選配4200-COMPILER)
吉時(shí)利用戶(hù)庫工具支持創(chuàng )建及把C 語(yǔ)言子例程庫與測試環(huán)境集成起來(lái)。用戶(hù)庫模塊在Clarius 中通過(guò)用戶(hù)測試模塊訪(fǎng)問(wèn)。出 廠(chǎng)時(shí)提供的庫為支持的儀器提供啟動(dòng)和運行功能。用戶(hù)可以編輯和編譯子例程,然后把子例程庫與Clarius 集成在一起,允許 4200A-SCS 從一個(gè)用戶(hù)界面控制整個(gè)測試機架。
系統配置和診斷(KCON)
吉時(shí)利配置工具(KCON) 簡(jiǎn)化了編程和維護全面集成的測試站的工作。KCON 為配置外部?jì)x器、開(kāi)關(guān)矩陣和探針臺及執行系 統診斷提供了統一的界面。
外部?jì)x器配置
KCON 允許實(shí)驗室管理員把外部?jì)x器與4200A-SCS 及支持的開(kāi)關(guān)矩陣集成起來(lái)。在用 戶(hù)為支持的儀器配置GPIB 地址后, 吉時(shí)利提供的庫將起效, 測試模塊可以在 4200A-SCS 系統之間轉移,用戶(hù)不需要做任何修改。除支持的標準儀器外,通用儀器允 許用戶(hù)為通用的2 端子或4 端子儀器開(kāi)發(fā)子例程和控制開(kāi)關(guān)。為實(shí)現最大的系統擴展能力, 用戶(hù)可以為通用儀器開(kāi)發(fā)自己的測試庫。
開(kāi)關(guān)矩陣配置
用戶(hù)通過(guò)支持的開(kāi)關(guān)矩陣配置定義4200A-SCS 儀器和外部?jì)x器到被測器件(DUT) 引腳的連接。( 參見(jiàn)開(kāi)關(guān)矩陣支持和配置) 一旦定義了連接,用戶(hù)只需輸入儀器端子 名稱(chēng)和引腳編號,就可以建立連接。4200A-SCS 應用和標準用戶(hù)庫管理在儀器端子 與DUT 引腳之間輸送測試信號。用戶(hù)不需要記住和編程行和列閉合。測試模塊可以在 4200A-SCS 系統之間轉移,而不需要重新輸入連接信息。
4200A-SCS 儀器診斷
通過(guò)運行系統自檢,用戶(hù)可以確認SMU、C-V 測量單元、脈沖發(fā)生器、示波器和遠程前 端放大器的系統完整性。對比較復雜的問(wèn)題,系統的配置分析工具可以生成報告,幫助 吉時(shí)利技術(shù)支持人員診斷問(wèn)題。
吉時(shí)利外部控制接口(KXCI)
通過(guò)KXCI,您可以使用外部計算機直接控制4200A-SCS 中的SMU 和CVU 模塊。KXCI 還可以使用UTM 通過(guò)內置GPIB 或 以太網(wǎng)間接控制超快速I(mǎi)-V 脈沖測量單元。對SMU,KXCI 命令集包括HP 4145 兼容模式,HP4145 的許多已寫(xiě)好程序盡可以 在4200A-SCS 上使用。
泰克Keithley 4200A-SCS 參數分析儀